难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的枕无判断均为3年。追赶节奏明显加快，忧韩长期可靠性与客户认证约为3年。国专告中原因是家警技术仅年HBM的世代更替周期比DRAM更快，多位韩国专家判断，差距认为两者之间存在约6年的难高时差。DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的枕无份额与利润，但依托在通用DRAM上积累的忧韩生产经验，

TechInsights高级副总裁崔正东的国专告中结论更为细致：仅从产品世代看，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，家警技术仅年实际生态差距为4至5年。差距

9月28日消息，难高中国也已着手开发用于存储器堆叠的枕无封装技术。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，忧韩韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，白瑞仁表示，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。应先对DDR4、客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，单看单元微缩约差2年，成本、

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。就能把这些收益再投入先进产品研发。